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本发明提供了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，所述场效应管的制作方法包括：提供第一导电类型衬底；在衬底上方生长具有第一导电类型的第一外延层；在第一外延层上方形成交替相间的第一导电类型柱区和第二导电类型柱区；在第一导电类型柱...
该专利属于无锡华润华晶微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润华晶微电子有限公司授权不得商用。

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