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黑色氮氧化钛粉末及使用其的半导体封装用树脂化合物制造技术
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下载黑色氮氧化钛粉末及使用其的半导体封装用树脂化合物的技术资料
文档序号:14620548
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本发明的用于半导体封装用树脂化合物的黑色氮氧化钛粉末的表面被厚度为2.5~12nm的二氧化硅薄膜包覆。并且,在以5MPa的压力进行压制的压坯的状态下,黑色氮氧化钛粉末的体积电阻率为1×105Ω·cm以上。而且,黑色氮氧化钛粉末在CIE197...
该专利属于三菱材料电子化成株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三菱材料电子化成株式会社授权不得商用。
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