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一种具有内嵌叉指NMOS双向SCR结构的ESD保护器件，可用于片上IC的ESD保护电路。主要由P衬底、P外延、第一N阱、P阱、第二N阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第二P+注入区、第四N+注入区、第五N+...
该专利属于江南大学所有，仅供学习研究参考，未经过江南大学授权不得商用。

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