温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。可提高形成于衬底上的膜的特性。本发明提供一种半导体器件的制造方法，其具有下述工序：将形成有具有硅氮键的膜、并对膜实施了前烘的衬底搬入处理容器的工序；以前烘的温度以下的第一温度向衬底供给...
该专利属于株式会社日立国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立国际电气授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。