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一种晶体管的形成方法，包括：在衬底表面形成伪栅极膜；在伪栅极膜内掺杂离子，在伪栅极膜内形成掺杂区和未掺杂区，掺杂区的表面与伪栅极膜的表面齐平，未掺杂区位于掺杂区底部；在伪栅极膜内掺杂离子之后，刻蚀部分伪栅极膜直至暴露出衬底表面为止，在衬底表...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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