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本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种硅基异质集成的MHEMT结构，包括p型Si衬底和在p型Si衬底上从下至上依次外延生长的晶格应变缓冲层、Ga1-XInXAs沟道层、Al1-XInXAs空间隔离层、平面掺杂层、Al1-XInXAs势垒层...
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