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本发明涉及金属栅极及其制备方法，包括：提供半导体衬底，部分所述半导体衬底表面上具有伪栅极，所述伪栅极包括依次位于所述半导体衬底的表面上的栅介质层、第一多晶硅层和非晶硅层；在所述伪栅极的周围形成侧墙；对所述非晶硅层进行热退火工艺处理，所述非晶...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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