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本发明提供了一种优化鳍式场效晶体管结构的方法以及鳍式场效晶体管。该优化鳍式场效晶体管结构的方法包括：在衬底上形成鳍结构；在衬底上沉积氧化硅层，并且对氧化硅层进行平坦化以使得氧化硅层的表面与鳍结构顶部齐平；对氧化硅层进行第一次氧化硅回刻以露出...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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