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本发明提供了一种闪存的制作方法，所述快闪存储器利用倾斜角度重掺杂离子注入在隔离结构的顶部和侧壁形成较为均匀的离子损伤，在后续清洗步骤中浅沟槽隔离结构的顶部和侧壁具有均匀的刻蚀速率，解决了浅沟槽隔离结构的顶部的尖角缺陷问题。...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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