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本发明公开一种用于去除金刚石线切割多晶硅后表面产生的切割痕的方法。其方法步骤如下：(1)对硅片进行预清洗；(2)将清洗好的硅片置于HF/HNO3/H2O混合溶液中进行制绒处理(3)将制绒好的硅片置于H2O2/HF/AgNO3/Cu(NO3)...
该专利属于南京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京航空航天大学授权不得商用。

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