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本发明公开了一种光刻工艺窗口的测量方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆具有通过光刻聚焦值与曝光能量矩阵形成的多个阵列排布的待测结构；通过电子束显微镜获取所述待测结构的线条成像图；通过多像素阈值方法对所述线条成像图进行分析，获取线条一维方向的边缘...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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