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本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在其上依次沉积第一牺牲层和第二牺牲层；在第二牺牲层和第一牺牲层中形成开口，在开口内侧形成牺牲侧壁；在开口底面形成第三牺牲层，并形成第四牺牲层，填充开口的剩余部分；...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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