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一种纳米线包括源极区域、漏极区域和沟道区域。源极区域被修改为减少源极区域内的少数载流子的寿命。在一个实施例中，可以通过注入非晶掺杂物或减少寿命的掺杂物来执行修改。可选地，源极可以利用不同的材料或工艺条件外延生长以减少源极区域内的少数载流子的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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