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本发明公开一种填充半导体元件间隙的方法及其形成的半导体元件。首先，提供具有多个突出部的一硅基板，且突出部之间有具预定深度的间隙而彼此相隔。形成一含氮层于硅基板上方以覆盖突出部和间隙的表面，以形成一氮化物衬垫。形成一非晶硅层于含氮层上。形成一...
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