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本发明的实施例提供了用于集成电路的多层互连结构，包括衬底上方的第一介电层和部分暴露在第一介电层上方的导线。结构还包括第一介电层和暴露的导线上方的蚀刻停止层，以及蚀刻停止层上方的第二介电层。第二介电层和蚀刻停止层提供部分暴露导线的贯通孔。结构...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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