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本发明实施例涉及具有FinFET器件和嵌入式闪存存储器器件的集成芯片及其形成方法。在一些实施例中，集成芯片具有逻辑区和与逻辑区横向隔开的存储区。逻辑区具有从半导体衬底向外突出的多个第一半导体材料的鳍。栅电极布置在多个第一半导体材料的鳍上方。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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