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本发明提供一种传输门及其下拉电路结构，包括并联在信号输入端和信号输出端之间的第一NMOS晶体管和PMOS晶体管，其中所述PMOS晶体管的衬底连接到电源电压且所述第一NMOS晶体管的衬底连接到地，所述第一NMOS晶体管连接到第一信号针，PMO...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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