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本发明提供一种垂直结构硅太阳能电池及其制造方法，包括钝化减反膜、其底部设有的硅衬底、硅衬底两侧依次分别设有的掺杂层，掺杂层两侧分别设有第一电极和第二电极，还包括设置在硅衬底底部，并覆盖所有掺杂层和电极底部端面的钝化膜。本发明具有结构简单，工...
该专利属于天津理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津理工大学授权不得商用。

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