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本实用新型提供了一种套准精度量测图形结构，包括：在光刻胶层次的光刻版图上形成的长条形凹槽，用于在曝光过程中在晶圆表面上通过光栅反应形成相应凹槽。本实用新型在光刻掩膜版的设计上把套准精度量测图形的结构设计成凹槽结构。凹槽周围都是大块的光刻胶，...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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