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本发明涉及一种高压芯片钝化层的制造方法，包括：制造高压芯片正面；背面减薄加工；制造高压芯片钝化层；制造除背面减薄工艺的高压芯片背面。本发明提供的技术方案在高压芯片制造过程中，将钝化层工艺进行优化，减少芯片的应力，增强钝化层与芯片的粘合，提高...该专利属于国网智能电网研究院;国网浙江省电力公司;国家电网公司所有，仅供学习研究参考，未经过国网智能电网研究院;国网浙江省电力公司;国家电网公司授权不得商用。