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本发明公开了一种芯片压焊块的制造方法，包括步骤：在形成导电结构的衬底上生长出第一钝化层；涂覆光刻胶，进行光刻，并刻蚀所述第一钝化层形成芯片的压焊块窗口；去除所述光刻胶；进行等离子体钝化处理，在所述压焊块窗口表面生成第二钝化层，所述第二钝化层...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。