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一种高电子迁移率晶体管器件，涉及半导体技术领域，该器件的第一介质层位于栅极与源极、漏极之间的半导体层上，第一源场板位于栅极与漏极之间的第一介质层上，第二介质层位于栅极、第一源场板和第一介质层上，第二源场板位于栅极、第一源场板上的第二介质层上...
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