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一种快闪存储器的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有浮栅极结构膜和位于浮栅极结构膜上的控制栅结构膜；在控制栅结构膜上形成若干个分立的介质层，相邻介质层之间具有第一开口；在第一开口侧壁形成第一侧墙；以第一侧墙为掩膜去除第一开口底部...
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