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本发明涉及氧化钇‑钨梯度材料及其制备方法和在制造合金熔炼用坩埚中的应用。所述梯度材料包括氧化钇层和多个过渡层，第m过渡层的氧化钇和钨的体积分数根据CWm＝1‑CYm和计算，其中CYm和CWm分别为第m过渡层中的氧化钇和钨的体积分数；m为1至...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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