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本发明涉及半导体装置及其制造方法。实现了半导体装置的性能的改善。所述半导体装置包括第一沟槽栅电极以及第二和第三沟槽栅电极，第二和第三沟槽栅电极位于插入它们之间的第一沟槽栅电极的两侧上。在位于第一和第二沟槽栅电极之间的半导体层和位于第一和第三...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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