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在一个方面中，提供了一种形成具有多个晶体管的CMOS器件的方法，多个晶体管具有不同的Vt，该方法包括：在晶片上形成纳米线和焊盘，其中纳米线被悬置在晶片的氧化物层上方的变化高度处；以及通过如下方式形成至少部分地围绕每个纳米线的一部分的晶体管的...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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