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本发明涉及一种优化开关特性的超结半导体器件及制造方法，其特征在于：在沟槽栅型超结半导体器件的表面引入集成电容区，集成电容区包括栅电容板、第一绝缘介质层和第二导电类型体区，在半导体截面方向上，第一绝缘介质层与半导体基板相邻区域为第二导电类型体...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

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