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本发明公开了一种a轴取向增强型AlN薄膜及其制备方法，属于电子信息功能材料与器件技术领域。本发明采用如下制备方法：采用n型的Si(100)衬底，将其放入磁控溅射系统腔室中进行真空处理后，采用不同磁控溅射工艺并结合退火处理，首先制备a轴取向A...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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