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本发明公开了一种无添加剂低压制备高纯氮化硅的方法。包括以下步骤：（1）对粒度为50~200目的粗硅粉球磨10h；（2）在细硅粉中加入10~40%氮化铝稀释剂并球磨混匀；（3）将混合粉体置于氮化炉中，在0.05~0.25MPa的微正压下直接氮...该专利属于河北高富氮化硅材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北高富氮化硅材料有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种无添加剂低压制备高纯氮化硅的方法。包括以下步骤：（1）对粒度为50~200目的粗硅粉球磨10h；（2）在细硅粉中加入10~40%氮化铝稀释剂并球磨混匀；（3）将混合粉体置于氮化炉中，在0.05~0.25MPa的微正压下直接氮...