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本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。本发明提供用于将来自清洁气体的残留卤族元素从处理室内除去的新型吹扫技术。一种半导体器件的制造方法，其包括下述工序：向利用包含卤族元素的清洁气体将附着于内部的构件的氧化膜除去后的处理室内，以第一处...
该专利属于株式会社日立国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立国际电气授权不得商用。

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