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本发明实施例提供一种降低沟槽型VDMOS的导通电阻的方法。该方法包括：在N型浓衬底的N型外延层中形成沟槽；在包括沟槽的N型外延层的表面生长栅氧化层，并在栅氧化层上沉积多晶硅，多晶硅填满沟槽；保留沟槽中距离沟槽底部第一预定距离的多晶硅，第一预...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。