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提供了一种用于制造具有高纵横比的浅沟槽隔离(STI)区的方法。提供具有沟槽的半导体衬底。形成内衬于沟槽的第一介电层。形成填充第一介电层上方的沟槽的第二介电层。在一些实施例中，在形成第二介电层之前，将离子注入至第一介电层的注入区，注入区沿着沟...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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