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本发明提供一种非易失性半导体存储装置，在存储单元(1a)中，第一深阱(DW1)和第二深阱(DW2)不受相互约束，能够对第一深阱和第二深阱分别施加第一阱(W1)的电容晶体管(3a、3b)、或第二阱(W2)的写入晶体管(4a、4b)的动作所需的...
该专利属于株式会社佛罗迪亚所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社佛罗迪亚授权不得商用。

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