温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了FinFET接触结构及其形成方法。一种器件包括：衬底，包括通过隔离区域分离的第一部分和第二部分；第一栅极结构，位于第一部分上方；第一漏极/源极区域和第二漏极/源极区域，位于第一部分中并位于第一栅极结构的相对侧，其中，第一漏极/源...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。