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一种自对准双重图形成像方法技术
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文档序号:14159206
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本发明提供了一种自对准双重图形成像方法,包括:提供衬底,所述衬底上依次形成有待刻蚀层、第一掩膜层、第二掩膜层、第一光罩层;提供第一掩膜版和第二掩膜版,第一掩膜版提供关键图形,第二掩膜版提供非关键图形;分别利用第一掩膜版和第二掩膜版对第一光罩...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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