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本发明提供了一种栅氧层的制备方法，首先在硅衬底表面采用第一O2分压来快速生长初始栅氧层，然后，在初始栅氧层表面采用第二O2分压且降低生长速率来生长新栅氧层，初始栅氧层的厚度与新栅氧层的厚度总和为目标厚度，快速生长初始栅氧层，得到一定厚度的初...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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