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本发明公开了一种具有金属保护层的可变电阻式存储器及其制造方法。存储单元的制造方法包括：于一存取装置上形成一绝缘层，其次是形成通过绝缘层的通孔以暴露第一存取装置端子以及第二存取装置端子。接着形成延伸通过通孔的第一层间导体以及第二层间导体。氧化...
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