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本发明公开了一种基于掺铕氮化铝的光致发光薄膜的制备方法，所述的基于掺铕氮化铝的光致发光薄膜主要是通过射频磁控溅射的方法制备；所述射频磁控溅射的工作气压为0.3Pa～0.5Pa；所述射频磁控溅射的退火温度为25℃～900℃；所述射频磁控溅射的...
该专利属于嘉兴学院所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴学院授权不得商用。

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