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本发明提供了基于双向TVS高压脉冲抑制的整流桥及其制作工艺。整流桥包括塑封体、四个同一技术指标的二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；其中两个二极管芯片固定设于第...该专利属于四川上特科技有限公司;电子科技大学;四川绿然电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川上特科技有限公司;电子科技大学;四川绿然电子科技有限公司授权不得商用。