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一种集成电路装置，包括具有电介质结构和导电结构的第一衬底。离子注入到所述第一衬底中，所述离子穿过所述电介质结构和所述导电结构以限定所述第一衬底中的分离平面。所述第一衬底在所述分离平面被分离以获得具有所述电介质结构和所述导电结构的分离层。所述...
该专利属于硅源公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅源公司授权不得商用。

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