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本发明公开了一种具有层状结构的化合物晶体定向生长的方法，所述方法是一种非化学方法，可批量制备定向生长的具有层状结构的硫族化合物Ⅴ2Ⅵ3（Ⅴ=Sb,Bi;Ⅵ=S,Se,Te）晶体。即借助玻璃光纤拉丝的方法，将晶体化合物前躯体填充到玻璃管中，然...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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