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本发明公开了一种DDD MOS器件结构，包括：P型衬底上方的N型埋层，N型埋层上方的N型外延，N型外延上部平列设置的N型漂移区和P阱，P阱上部平列设置N型重掺杂区和P型重掺杂区，栅氧化层位于N型漂移区和P阱上方，多晶硅栅位于栅氧化层上方，第...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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