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一种半导体器件结构，包括具有设置在其内的主动区的半导体衬底、栅极结构、虚拟栅极结构、设置在该主动区中用于形成源极和漏极区的二接触区。在该半导体衬底上形成该栅极结构和该虚拟栅极结构以便部分地覆盖该主动区，并且该二接触区的一者位于该虚拟栅极结构...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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