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本实用新型涉及一种窗口式氮化硅板,包括有硅垫底层,其特点是:硅垫底层的上方外围设置有单晶硅外框,硅垫底层上分布有凹槽结构,凹槽内分布有若干单晶硅支架梁,若干单晶硅支架梁相互之间间隔排布,构成框架阵列,框架阵列之间形成氮化硅窗口,硅垫底层的上...该专利属于苏州原位芯片科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州原位芯片科技有限责任公司授权不得商用。
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本实用新型涉及一种窗口式氮化硅板,包括有硅垫底层,其特点是:硅垫底层的上方外围设置有单晶硅外框,硅垫底层上分布有凹槽结构,凹槽内分布有若干单晶硅支架梁,若干单晶硅支架梁相互之间间隔排布,构成框架阵列,框架阵列之间形成氮化硅窗口,硅垫底层的上...