温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供了半导体器件及其形成方法。所述方法可以包括：通过刻蚀衬底形成第一深度的第一沟槽来形成鳍；在所述第一沟槽中形成第一器件隔离层；通过刻蚀所述第一器件隔离层和所述衬底，形成大于所述第一深度的第二深度的第二沟槽；在所述第二沟槽中形成第二器件隔离...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。