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提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一鳍式图案，通过第一沟槽限定并且包括彼此面对的第一侧壁和第二侧壁；场绝缘膜，包括与第一侧壁接触的第一区域和与第二侧壁接触的第二区域，并且部分地填充第一沟槽，其中，第一侧壁具有与第一区域的顶表面接触...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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