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本发明提供一种非易失性存储器，具有存储单元。存储单元具有堆叠结构、浮置栅极、穿隧介电层、抹除栅介电层、辅助栅介电层、第一掺杂区以及第二掺杂区。堆叠结构具有依序设置的栅介电层、辅助栅极、绝缘层以及抹除栅极。浮置栅极设置于堆叠结构的第一侧的侧壁...
该专利属于物联记忆体科技股份有限公司;郑育明所有，仅供学习研究参考，未经过物联记忆体科技股份有限公司;郑育明授权不得商用。

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