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描述了一种从图案化的异质结构中选择性地干法蚀刻硅的方法。所述方法在远程等离子体蚀刻之前任选地包括等离子体工艺。所述等离子体工艺可以使用经偏压的等离子体来处理一些结晶硅(例如，多晶硅或单晶硅)以形成非晶硅。之后，使用含氢前体形成远程等离子体，...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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