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一种改善闪存阵列区垫氧层刻蚀过程中硅衬底完整性的方法，包括：在衬底上依次形成垫氧层、氮化硅硬掩模层、底部抗放射涂层以及光刻胶层，并且对光刻胶层进行显影以形成光刻胶图案；利用形成图案的光刻胶层，对氮化硅硬掩模层和底部抗放射涂层进行干法刻蚀以形...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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