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本发明涉及一种掺氧GeSb纳米相变薄膜及其制备方法和应用，该相变薄膜的化学组成符合化学通式GSOx，其中GS为Ge8Sb92，x代表氧气流量值，其单位为sccm，其中x＝1、2或3，通过清洗SiO2/Si(100)基片、射频溅射前准备、采用...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

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